టంకం కీళ్లను తయారు చేసే పద్ధతులు

బాహ్యంగా, వెల్డింగ్ మరియు టంకం ప్రక్రియలు ఒకదానికొకటి చాలా పోలి ఉంటాయి. టంకం మధ్య ప్రధాన వ్యత్యాసం చేరిన భాగాల బేస్ మెటల్ యొక్క ద్రవీభవన లేకపోవడం. టంకం చేసేటప్పుడు, పూరక పదార్థం మాత్రమే కరుగుతుంది - టంకము, ఇది తక్కువ ద్రవీభవన స్థానం కలిగి ఉంటుంది. టంకము కీళ్ళను పొందే పద్ధతులు అనేక ప్రధాన రకాలుగా వర్గీకరించబడ్డాయి:

1. ఆక్సైడ్ ఫిల్మ్‌ను తొలగించే పద్ధతి ద్వారా:

a) ఫ్లక్స్ టంకం. ఫ్లక్స్ యొక్క ఉపయోగం ఆక్సైడ్ ఫిల్మ్‌ల నుండి విక్రయించబడే భాగాల ఉపరితలాలను శుభ్రం చేయడానికి మరియు తదుపరి ఆక్సీకరణ నుండి వాటిని రక్షించడానికి మిమ్మల్ని అనుమతిస్తుంది. ఫ్లక్స్ డిస్పెన్సర్‌ల ద్వారా సరఫరా చేయబడుతుంది, మాన్యువల్‌గా, పొడుల రూపంలో, టంకముతో కలిపిన పేస్ట్‌లు (గొట్టపు మరియు మిశ్రమ టంకము).

బి) అల్ట్రాసోనిక్ టంకం. అల్ట్రాసోనిక్ టంకం ఆక్సైడ్ ఫిల్మ్‌ను తొలగించడానికి పుచ్చు శక్తిని ఉపయోగిస్తుంది. జనరేటర్ ద్వారా విడుదలయ్యే అల్ట్రాసోనిక్ తరంగాలు టంకం ఇనుము చిట్కా యొక్క వేడిచేసిన కొనకు ప్రసారం చేయబడతాయి. మిశ్రమ పద్ధతులు (ఫ్లక్స్ లేదా రాపిడితో) కూడా ఉపయోగించబడతాయి. అల్ట్రాసోనిక్ టంకం గాజు మరియు సెరామిక్స్ ఉపరితలంపై కూడా వెల్డింగ్ జాయింట్లను పొందడానికి మిమ్మల్ని అనుమతిస్తుంది మరియు ఇది అత్యంత ఆధునిక పద్ధతుల్లో ఒకటి.

గాజు అల్ట్రాసోనిక్ టంకం

c) హైడ్రోజన్ ఫ్లోరైడ్ లేదా హైడ్రోజన్ క్లోరైడ్ మిశ్రమంతో తటస్థ (జడ) లేదా క్రియాశీల వాయువులో టంకం. ఇటువంటి మిశ్రమాలను గ్యాస్ స్ట్రీమ్స్ అంటారు. ఈ పద్ధతి యొక్క ప్రతికూలత ప్రక్రియ యొక్క పేలుడు ప్రమాదం.

d) మలినాలు లేకుండా జడ లేదా తటస్థ వాయువు వాతావరణంలో టంకం. ఆక్సైడ్ ఫిల్మ్‌లు పార్ట్ మెటీరియల్ మరియు టంకము నుండి ఆక్సైడ్‌ల విచ్ఛేదనం, రద్దు మరియు సబ్లిమేషన్ (ఘన నుండి వాయువుకు బదిలీ చేయడం) ద్వారా తొలగించబడతాయి. ఈ విధంగా బ్రేజింగ్ చేసినప్పుడు, అవసరమైన ఉష్ణోగ్రతకు వేడి చేయడానికి ముందు ఆక్సీకరణం నుండి రక్షించడానికి తక్కువ మొత్తంలో ఫ్లక్స్ తరచుగా ఉపయోగించబడుతుంది. టంకం చేయబడిన భాగాల శీతలీకరణ అదే వాతావరణంలో జరుగుతుంది.

ఇ) వాక్యూమ్ టంకం. వాక్యూమ్ కంటైనర్‌ను రెండు విధాలుగా వేడి చేయవచ్చు: బయటి నుండి మరియు లోపలి నుండి హీటింగ్ ఎలిమెంట్స్ ఉపయోగించి. ఈ సందర్భంలో, ద్రవ మరియు ఘన ప్రవాహాలు ఉపయోగించబడవు; బోరాన్ ట్రైఫ్లోరైడ్, లిథియం, పొటాషియం, సోడియం, మెగ్నీషియం, మాంగనీస్, కాల్షియం మరియు బేరియం ఆవిరిని వాయు ప్రవాహాలుగా ఉపయోగిస్తారు. టంకం ప్రక్రియ యొక్క ఉత్పాదకతను పెంచడానికి, వాక్యూమ్ చాంబర్ జడ వాయువులతో ప్రక్షాళన చేయబడుతుంది.

వాక్యూమ్ టంకం కోసం డెస్క్‌టాప్ మెషిన్

2. టంకము రకం మరియు టంకం సీమ్ నింపే పద్ధతి ప్రకారం:

ఎ) రెడీమేడ్ టంకముతో టంకం బలవంతంగా లేదా అంతర్నిర్మిత భాగాల సహాయంతో ఖాళీలోకి ఫీడ్ చేయబడుతుంది.

బి) పూరక (కణికలు, పొడి లేదా ఫైబర్స్, పోరస్ మాస్ లేదా మెష్ యొక్క ఎంబెడెడ్ భాగాలు) రూపంలో మిశ్రమ టంకముతో టంకం వేయడం.

సి) కాంటాక్ట్-రియాక్టివ్ మరియు రియాక్టివ్-ఫ్లక్స్ టంకం. భాగాలు పదార్థం యొక్క సంపర్క-రియాక్టివ్ ద్రవీభవన లేదా ఫ్లక్స్ నుండి మెటల్ యొక్క తగ్గింపు ద్వారా అనుసంధానించబడి ఉంటాయి.

d) కేశనాళిక టంకం. టంకముతో గ్యాప్ ఫిల్లింగ్ కేశనాళిక ఉపరితల ఉద్రిక్తత శక్తుల కారణంగా ఉంటుంది.

ఇ) నాన్-కేపిల్లరీ టంకం.టంకము బాహ్య శక్తి (బాహ్య పీడనం, గ్యాప్‌లో వాక్యూమ్, అయస్కాంత శక్తులు) లేదా దాని స్వంత బరువు కింద ఖాళీని నింపుతుంది.

3. తాపన మూలం ద్వారా:

ఎ) సెకనుకు 150 డిగ్రీల వరకు తాపన రేటుతో తక్కువ-తీవ్రత పద్ధతులు (టంకం ఇనుముతో, తాపన మాట్స్, కొలిమిలో, ఎలక్ట్రోలైట్లు, వేడిచేసిన మాత్రికలు ఉపయోగించి). ఇటువంటి తాపన పద్ధతులు సాపేక్షంగా తక్కువ పరికరాల ఖర్చులు, ప్రక్రియ స్థిరత్వం మరియు అధిక శక్తి వినియోగం ద్వారా వర్గీకరించబడతాయి.

ఒక టంకం ఇనుముతో టంకం

బి) 150 ... 1000 డిగ్రీలు / సెకను తాపన రేటుతో మధ్యస్థ-తీవ్రత పద్ధతులు (కరిగిన లవణాలు లేదా టంకము, గ్యాస్, గ్యాస్ ఫ్లేమ్ బర్నర్‌లు, కాంతి లేదా ఇన్‌ఫ్రారెడ్ రేడియేషన్, ఎలక్ట్రికల్ రెసిస్టెన్స్, ఇండక్షన్ హీటింగ్ మరియు గ్లో డిశ్చార్జ్ హీటింగ్ ద్వారా వేడి చేయడం) . ఇమ్మర్షన్ తాపన భాగాలు భారీ ఉత్పత్తిలో ఉపయోగించబడుతుంది.

వేడి గ్యాస్ (గాలి) టంకం

ఇన్ఫ్రారెడ్ టంకం

రెసిస్టెన్స్ టంకం

సి) సెకనుకు 1000 డిగ్రీల కంటే ఎక్కువ వేడి రేటుతో అధిక-తీవ్రత పద్ధతులు (లేజర్, ప్లాస్మా, ఆర్క్, ఎలక్ట్రాన్ బీమ్ హీటింగ్). ఈ పద్ధతులు క్రింది ప్రయోజనాలను కలిగి ఉన్నాయి:

• పదార్థంపై ఉష్ణ ప్రభావం యొక్క చిన్న ప్రాంతం;

• మూలకాల యొక్క దట్టమైన అమరికతో సన్నని భాగాలను టంకం చేసే అవకాశం;

• టంకములో బేస్ మెటల్ యొక్క రద్దు ప్రక్రియ యొక్క నియంత్రణ;

• అధిక పనితీరు.

అధిక-తీవ్రత పద్ధతుల యొక్క ప్రతికూలతలలో ఒకటి టంకం ఉపరితలాలను జాగ్రత్తగా తయారుచేయడం మరియు పరికరాల యొక్క అధిక ధర.

లేజర్ టంకం

4. ఏకకాల టంకం (మొత్తం పొడవుతో పాటు అతుకుల ఏకకాల నిర్మాణంతో) మరియు స్టెప్‌వైస్ టంకం (ఉత్పత్తి అతుకుల క్రమంగా ఏర్పడటం) కూడా వేరు చేయండి.

5.టంకం ప్రక్రియ యొక్క ఉష్ణోగ్రత ప్రకారం:

ఎ) తక్కువ-ఉష్ణోగ్రత ప్రక్రియ (450 డిగ్రీల కంటే తక్కువ),

బి) అధిక ఉష్ణోగ్రత (450 డిగ్రీల కంటే ఎక్కువ).